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IXTP50N085T中文资料N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options数据手册Littelfuse规格书
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特性 Features
·Trench Gate MOSFET Technology
·Break down voltages VDSS: 36V to 300V
·Current ratings ID25: 12A to 660A
·Ultra-low on-state resistance RDS(on)
·Superior avalanche ruggedness
·Junction temperature TJ up to 175°C
·International standard packages
技术参数
- 型号：
IXTP50N085T
- 功能描述：
MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
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IXYS |
原厂封装 |
9800 |
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IXT |
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TO-220 |
17065 |
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IXT |
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TO-220 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO220 |
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IXYS |
25+ |
TO220 |
150 |
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Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO220 |
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IXYS |
22+ |
TO2203 |
9000 |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
95 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
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TO220 |
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