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IXTP3N110中文资料PDF规格书

IXTP3N110
厂商型号

IXTP3N110

功能描述

High Voltage Power MOSFETs

文件大小

102.19 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 22:58:00

IXTP3N110规格书详情

Features

● International standard packages

● Low RDS (on)

● Rated for unclamped Inductive load Switching (UIS)

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

产品属性

  • 型号:

    IXTP3N110

  • 功能描述:

    MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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