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A36N30MP

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滨特尔滨特尔集团

A36N30MPP

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IXFJ36N30

HiPerFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXTA36N30P

PolarHTPowerMOSFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXTP36N30P

PolarHTPowerMOSFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXTQ36N30P

PolarHTPowerMOSFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

TA36N30P

PolarHTPowerMOSFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

详细参数

  • 型号:

    IXTP36N30T

  • 功能描述:

    MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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IXYS
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TO-220-3
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IXYS
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IXYS/艾赛斯
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TO-220
6000
原装正品,支持实单
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更多IXTP36N30T供应商 更新时间2024-5-16 15:42:00