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IXTP36N20T

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXFJ36N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTJ36N20

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXTJ36N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IXTP36N20T

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    Trench

  • 包装:

    管件

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    36A(Tc)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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TO-220-3
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更多IXTP36N20T供应商 更新时间2024-5-16 15:42:00