isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=130A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：340.75 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N通道 超-超级结MOSFET

• 较低的通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• dv/dt强度\n• 雪崩功能\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

Power MOSFET

文件：242.97 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

汽车级超-超级结X4-Class MOSFET

• 符合AEC-Q101标准，可用于汽车应用\n• 较低的通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• dv/dt强度\n• 雪崩功能\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特