IXTH6N120中文资料N通道标准高电压MOSFET数据手册Littelfuse规格书
IXTH6N120规格书详情
特性 Features
• 国际标准包装
• 快速切换时间
• 雪崩评级
• 坚固的多晶硅栅极单元结构
• 超低的RDS(on)
应用 Application
• 电容放电电路
• 高压电源
• 脉冲电路
• 电平移动
• 固态继电器
• 触发器
技术参数
- 型号:
IXTH6N120
- 功能描述:
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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IXYS |
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IXS |
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