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DAM35N30H	文件：251.32 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
IXFH35N30	文件：371.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=100mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTH35N30	文件：107.87 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSTMFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
PJM35N30DI	文件：711.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
RM35N30DF	文件：249.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXTH35N30功率三极管供应商更新时间2024-5-16 11:00:00

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