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IXTC13N50中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXTC13N50
厂商型号

IXTC13N50

功能描述

Power MOSFET ISOPLUS220

文件大小

71.76 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 18:54:00

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IXTC13N50规格书详情

Power MOSFET ISOPLUS220TM

Electrically Isolated Back Surface

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

特性 Features

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

• Low drain to tab capacitance(<35pF)

• Low RDS (on) HDMOSTM process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

• AC motor control

Advantages

• Easy assembly: no screws or isolation

foils required

• Space savings

• High power density

• Low collector capacitance to ground

(low EMI)

产品属性

  • 型号:

    IXTC13N50

  • 功能描述:

    MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXYS
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