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IXTA80N12T2	文件：203.59 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier 文件：203.59 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA80N12T2	文件：285.54 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：285.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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IXTA96P085T	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	IXYS/艾赛斯上传：深圳市润联芯城科技有限公司	IXYS/艾赛斯
IXTH20P50P	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IXYS 艾赛斯上传：深圳市振鑫微电子科技有限公司	IXYS

详细参数

型号：
IXTA80N12
功能描述：
MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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