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IXTA80N10T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXTA80N10T

功能描述

TrenchMVTM Power MOSFET

文件大小

190.48 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 15:38:00

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IXTA80N10T规格书详情

VDSS = 100V

ID25 = 80A

RDS(on) ≤ 14mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

特性 Features

International Standard Packages

175°C Operating Temperature

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Diode

Low RDS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Applications

Automotive

- Motor Drives

- DC/DC Conversion

- 42V Power Bus

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-Line UPS

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Current Switching Applications

Distributed Power Architechtures and VRMs

Electronic Valve Train Systems

产品属性

  • 型号:

    IXTA80N10T

  • 功能描述:

    MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
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TO-263
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