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IXTA70N085T中文资料N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options数据手册Littelfuse规格书
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特性 Features
·Trench Gate MOSFET Technology
·Break down voltages VDSS: 36V to 300V
·Current ratings ID25: 12A to 660A
·Ultra-low on-state resistance RDS(on)
·Superior avalanche ruggedness
·Junction temperature TJ up to 175°C
·International standard packages
技术参数
- 型号：
IXTA70N085T
- 功能描述：
MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-263 |
100 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
20 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
