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KQB2N80

800VN-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KSMD2N80

800VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMU2N80

800VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MTP2N80

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

PF2N80HA

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SIHA2N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHD2N80AE

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHD2N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHU2N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •IntegratedZenerdiodeESDprotection •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHU2N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

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威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    IXTA2N80P

  • 功能描述:

    MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTA2N80P供应商 更新时间2025-5-29 15:30:00