IXTA1N80中文资料N-Channel: Standard Power MOSFETs数据手册Littelfuse规格书
IXTA1N80规格书详情
特性 Features
·Breakdown voltages (VDSS) up to 4500V
·Current ratings (ID25) ranging from 100mA to 250A
·Ultra-low RDS(on) - as low as 7.5 milliohm
·High power density
·Easy to mount
·PCB space savings
·International standard and proprietary high voltage packages
技术参数
- 型号：
IXTA1N80
- 功能描述：
MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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