首页>IXKH35N60C5>规格书详情

IXKH35N60C5中文资料PDF规格书

IXKH35N60C5
厂商型号

IXKH35N60C5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

文件大小

114.76 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-4-30 11:36:00

IXKH35N60C5规格书详情

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Features

• fast COOLMOS®* power MOSFET 4th generation

- High blocking capability

- Lowest resistance

- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

Applications

• Switched mode power supplies(SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

产品属性

  • 型号:

    IXKH35N60C5

  • 功能描述:

    MOSFET 35 Amps 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
N/A
85200
正品授权货源可靠
询价
VB
2019
TO-247
55000
绝对原装正品假一罚十!
询价
IXYS/艾赛斯
21+
TO-247
5000
原装现货/假一赔十/支持第三方检验
询价
IXYS
23+
TO-247AD
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
IXYS
2020+
TO-247
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
IXYS
23+
TO3P3
9000
原装正品,支持实单
询价
IXYS
23+
TO247
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
IXYS/艾赛斯
TO-247
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
询价
IXYS
23+
SMD
67000
原装正品实单可谈 库存现货
询价
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
询价