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IXGX120N60C2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGX120N60C2

参数属性

IXGX120N60C2 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 75A 830W PLUS TO-247

功能描述

PT IGBTs

封装外壳

TO-247-3 变式

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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IXGX120N60C2规格书详情

特性 Features

·VCES: 300V to 1200V
·IC(90): 2A to 200A
·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel

技术参数

  • 产品编号:

    IXGX120N60C2

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™, Lightspeed™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    1.7mJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/120ns

  • 测试条件:

    400V,80A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 供应商器件封装:

    PLUS247™-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 830W PLUS TO-247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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NA/
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