选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
12580 |
24+23+ |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
13888 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IXYSSMC/DO-214AB |
21000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
13888 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
78000 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
12580 |
24+23+ |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
12300 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSPLUS247?3 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
IXGX120N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGX120N60图片
IXGX120N60A3价格
IXGX120N60A3价格:¥56.7567品牌:Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXGX120N60A3多少钱,想知道IXGX120N60A3价格是多少?参考价:¥56.7567。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGX120N60A3批发价格及采购报价,IXGX120N60A3销售排行榜及行情走势,IXGX120N60A3报价。
IXGX120N60C2中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGX120N60A3功能描述:IGBT 晶体管 120 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGX120N60B功能描述:IGBT 晶体管 76 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGX120N60B3功能描述:IGBT 晶体管 120Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGX120N60C2功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES C HI-FREQ SINGLE IGBT 600V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube