IXGT15N120BD1_IXYS_IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds科雨六部

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原厂料号:IXGT15N120BD1品牌:IXYS

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  • 芯片型号:

    IXGT15N120BD1

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  • 企业简称:

    IXYS详情

  • 厂商全称:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 内容页数:

    2 页

  • 文件大小:

    56.1 kb

  • 资料说明:

    Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号:

    IXGT15N120BD1

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商

  • 企业:

    深圳市科雨电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    汪小姐

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