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IXGP28N60A3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
IXGP28N60A3 |
| 参数属性 | IXGP28N60A3 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT |
| 功能描述 | Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
259.39 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 中文名称 | 艾赛斯 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 18:57:00 |
| 人工找货 | IXGP28N60A3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IXGP28N60A3规格书详情
IXGP28N60A3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGP28N60A3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IXGP28N60A3
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.4V @ 15V,24A
- 开关能量:
700µJ(开),2.4mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
18ns/300ns
- 测试条件:
480V,24A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
AP |
23+ |
TO-220 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
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IXYS |
22+ |
TO220AB |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
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IXYS |
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TO-220AB |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
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全新原装 货期两周 |
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