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IXGN80N60A2D1_IXYS_IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds兴灿电子一部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
IXGN80N60A2D1
- 功能描述:
IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市兴灿科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
刘先生
- 手机:
15813871883
- 询价:
- 电话:
0755-23942131
- 地址:
深圳市福田区华强北街道振兴路新欣大厦B座5楼585室
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