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IXGH24N60A

IXYSTO-247

6310

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全新原装现货,欢迎询购!!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IXGH24N60

IXYS/艾赛斯TO-247

6000

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十年配单,只做原装

深圳市川科科技有限公司

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IXGH24N60

IXYS-艾赛斯TO-247-3

78800

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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IXGH24N60C

IXYSTO-247

80000

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IXGH24N60CD1

IXYS/艾赛斯TO-247

12300

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深圳市勤思达科技有限公司

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IXGH24N60A

IXYS场效应

100

原装现货,价格优惠

深圳市星辰微电科技有限公司

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IXGH24N60C4D1

IXYS(艾赛斯)N/A

7500

25+

IXYS(艾赛斯)全系列在售

深圳市能元时代电子有限公司

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IXGH24N60A

IXYSTO-3P

67791

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IXGH24N60CD1

IXYSTO247

8000

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深圳市威尔健半导体有限公司

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IXGH24N60C功率三极管

IXYS/艾赛斯TO247

13888

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深圳市威尔健半导体有限公司

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IXGH24N60C功率三极管

IXYS/艾赛斯TO247

50000

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芯有半导体（深圳）有限公司

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IXGH24N60B

IXYSTO220大

1145

9748

全新原装现货100真实自己公司

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IXGH24N60CD1

IXYSTO247AD (IXGH)

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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IXGH24N60B

IXYSTO247

3625

2025+

全新原厂原装产品、公司现货销售

京海半导体(深圳)有限公司

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IXGH24N60CD1

IXYS/艾赛斯TO247

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IXGH24N60CD1

IXYSTO247AD (IXGH)

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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IXGH24N60B

IXYSNA

4500

24+

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深圳市一线半导体有限公司

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IXGH24N60C

IXYSTO-247AD

14

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深圳市科雨电子有限公司

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IXGH24N60CD1

IXYSTO-247

3000

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深圳市华来深电子有限公司

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IXGH24N60B

IXYSTO-247

8560

23+

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IXGH24N60A功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGH24N60AU1功能描述:IGBT 晶体管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGH24N60AU1S制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode

IXGH24N60B功能描述:IGBT 晶体管 HIPERFAST IGBT 600V, 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGH24N60BS功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD

IXGH24N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGH24N60BU1S功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD

IXGH24N60C功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGH24N60C4功能描述:IGBT 模块 High-Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

IXGH24N60C4D1功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

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