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IXGH10N300数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGH10N300规格书详情
特性 Features
• 高阻断电压
• 高峰值电流能力
• 高功率密度
• 低饱和电压
• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装
应用 Application
• 脉冲电路
• 电容放电电路
• 高压电源
• 高压测试设备
• 激光和X射线发生器
技术参数
- 制造商编号
：IXGH10N300
- 生产厂家
：Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
：18
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：4
- Configuration
：Single
- Package Type
：TO-247
- Fall Time [Resistive Load](ns)
：520
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
：1
- Collector Current @ 90 ℃ (A)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-3P |
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IXYS |
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TO-247 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
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IXYS |
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IXYS |
23+ |
TO247 |
7000 |
询价 |
