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IXGC16N60B2D1	文件：92.38 Kbytes Page：2 Pages	Electrically Isolated Back Surface 文件：92.38 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGC16N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ISOPLUS220™；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH16N60B2D1	文件：222.51 Kbytes Page：7 Pages	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode Features ● Optimized for Low Conduction and Switching Losses ● Square RBSOA ● Anti-Parallel Ultra Fast Diode ● International Standard Packages Applications ● Power Inverters ● UPS ● Motor Drives ● SMPS ● PFC Circuits ● Battery Chargers ● Welding Machines ● Lamp Ballasts Advantages ● 文件：222.51 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP16N60B2D1	文件：222.51 Kbytes Page：7 Pages	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode Features ● Optimized for Low Conduction and Switching Losses ● Square RBSOA ● Anti-Parallel Ultra Fast Diode ● International Standard Packages Applications ● Power Inverters ● UPS ● Motor Drives ● SMPS ● PFC Circuits ● Battery Chargers ● Welding Machines ● Lamp Ballasts Advantages ● 文件：222.51 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGC16N60B2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，12A
开关能量：
150mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/70ns
测试条件：
400V，12A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
ISOPLUS220™
供应商器件封装：
ISOPLUS220™
描述：
IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220

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