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IXGA20N250HV数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGA20N250HV

参数属性

IXGA20N250HV 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO

功能描述

NPT 超高电压IGBT

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IXGA20N250HV规格书详情

特性 Features

• 高阻断电压
• 高峰值电流能力
• 高功率密度
• 低饱和电压
• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装

应用 Application

• 脉冲电路
• 电容放电电路
• 高压电源
• 高压测试设备
• 激光和X射线发生器

技术参数

  • 制造商编号

    :IXGA20N250HV

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :30

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :3.1

  • Configuration

    :Single

  • Package Type

    :TO-263HV

  • Fall Time [Resistive Load](ns)

    :930

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.83

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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