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IXFX52N60Q2中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXFX52N60Q2

功能描述

Advanced Technical Information

文件大小

552.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 20:00:00

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IXFX52N60Q2规格书详情

HiPerFET™ Power MOSFETs Q2-Class

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg

Low intrinsic Rg, low trr

特性 Features

• Double metal process for low gate resistance

• International standard packages

• Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFX52N60Q2

  • 功能描述:

    MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3393
原装现货,当天可交货,原型号开票
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IXYS
07+
TO-247
20
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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IXYS
22+
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9000
原厂渠道,现货配单
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IXYS
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IXYS
25+
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IXYS
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IXYS/艾赛斯
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