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IXFX360N15

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=360A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =4mΩ(Max)@VGS= 10V ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:368.58 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFX360N15T2

GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

文件:186.11 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFX360N15T2

N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET

• 高电流性能(高达600A)\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;

Littelfuse

力特

IXGA20N250HV-TRL

IXYS/LITTELFUSE
TO-263

IXYS/LITTELFUSE

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

IXYS/LITTELFUSE

IXGF30N400

IXYS
ISOPLUS i4-PAC

详细参数

  • 型号:

    IXFX360N15

  • 功能描述:

    功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    Micrel

  • 产品:

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型:

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大:

    30 V

  • 电源电压-最小:

    2.75 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-8

  • 封装:

    Tube

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更多IXFX360N15供应商 更新时间2025-10-4 10:19:00