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IXFX360N15	文件：368.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=360A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFX360N15

文件：368.58 Kbytes

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=360A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXFX360N15T2

文件：186.11 Kbytes

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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFX360N15T2

文件：300 bytes

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N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET; • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

详细参数

型号：
IXFX360N15
功能描述：
功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
MOSFET Gate Drivers
类型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大：
30 V
电源电压-最小：
2.75 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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