IXFX34N80中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXFX34N80规格书详情
HiPerFET Power MOSFETs
Single MOSFET Die
Avalanche Rated
特性 Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
• Fast intrinsic rectifier
Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• AC motor control
• Temperature and lighting controls
Advantages
• PLUS 247TMpackage for clip or spring mounting
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号:
IXFX34N80
- 功能描述:
MOSFET 800V 34A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
66 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
PLUS247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
3050 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
IXY |
05+ |
TO-247 |
1500 |
原装进口 |
询价 | ||
IXFX34N80 |
672 |
672 |
询价 | ||||
IXYS |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
TO-247-3 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 |