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IXFX32N100Q3数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXFX32N100Q3规格书详情
特性 Features
• 每个硅片面积的Rdson较低
• 较低的Qg和Qgd
• 卓越的dV/dt性能
• 高速开关
• 快速本征整流器
• 较低的本征栅极电阻
• 较高的雪崩能量性能
• 卓越的热性能
应用 Application
• 功率因数校正
• 电池充电器
• 开关模式和谐振模式电源
• 服务器和通信电源系统
• 弧焊
• 等离子切割
• 感应加热
• 太阳能发电系统
• 电机控制
技术参数
- 型号：
IXFX32N100Q3
- 功能描述：
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-247 |
67757 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
PLUS247 |
25000 |
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IXYS |
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原厂原包装 |
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IXYS原装 |
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TO-247 |
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IXYS |
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TO-3P |
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IXY |
06+ |
TO-247 |
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原装 |
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IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
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IXYS |
1923+ |
TO-247 |
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原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
