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IXFV18N60P中文资料PDF规格书

IXFV18N60P
厂商型号

IXFV18N60P

功能描述

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件大小

171.16 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-23 16:16:00

IXFV18N60P规格书详情

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated

Features

• International standard packages

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance - easy to drive and to protect

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFV18N60P

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 18A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
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IXYS/艾赛斯
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TO-220-3
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IXYS
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TO2203 Short Tab
9000
原厂渠道,现货配单
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