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IXFT94N30T

N-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXFT94N30T

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET; • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXFH94N30T

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXFH94N30T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXFQ94N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=94A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=36mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    IXFT94N30T

  • 功能描述:

    MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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IXYS
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更多IXFT94N30T供应商 更新时间2025-7-28 10:19:00