N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 550V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.16Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件：372.57 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt

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IXYS

艾赛斯

TO-247

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市凌旭科技有限公司

TO-263

IXYS/LITTELFUSE

上传：深圳市斌腾达科技有限公司