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IXFT18N100Q3

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • Low Intrinsic Gate Resistance • International Standard Packages • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) and QG Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Space Savings Applic

文件:137.27 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFT18N100Q3

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

IXFX32N50

TO-247

IXYS

艾赛斯

上传:深圳市凌旭科技有限公司

IXGA20N250HV-TRL

TO-263

IXYS/LITTELFUSE

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

IXYS/LITTELFUSE

IXGF30N400

ISOPLUS i4-PAC

详细参数

  • 型号:

    IXFT18N100

  • 功能描述:

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXFT18N100供应商 更新时间2025-11-7 14:17:00