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IXFQ14N80P中文资料PDF规格书
IXFQ14N80P规格书详情
PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Features
• International standard packages
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号:
IXFQ14N80P
- 功能描述:
MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO3P3 SC653 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
19+ |
TO-3P |
75790 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
询价 | ||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-3P-3 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
IXYS |
1531+ |
TO-3P |
6 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
59620 |
原装正品 华强现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO3P |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 |