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IXFN82N60Q3数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXFN82N60Q3规格书详情
特性 Features
• 每个硅片面积的Rdson较低
• 较低的Qg和Qgd
• 卓越的dV/dt性能
• 高速开关
• 快速本征整流器
• 较低的本征栅极电阻
• 较高的雪崩能量性能
• 卓越的热性能
应用 Application
• 功率因数校正
• 电池充电器
• 开关模式和谐振模式电源
• 服务器和通信电源系统
• 弧焊
• 等离子切割
• 感应加热
• 太阳能发电系统
• 电机控制
技术参数
- 型号：
IXFN82N60Q3
- 功能描述：
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
N/A |
主营模块 |
190 |
原装正品,现货供应 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271709邹小姐 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
IXYS |
2018 |
模块 |
300 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
SOT-227 |
65493 |
原装正品 华强现货 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
询价 |
