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IXFN100N20中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXFN100N20

功能描述

N-Channel MOSFET

文件大小

536.78 Kbytes

页面数量

3 页

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2026-10-9 16:56:00

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IXFN100N20规格书详情

DESCRIPTION

· Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage

-VDSS= 200V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

· DC-DC Converter

· Battery Chargers

· Synchronous Rectification

产品属性

  • 型号:

    IXFN100N20

  • 功能描述:

    MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
德国IXYS艾塞斯
26+
MOUDLE
12000
原装正品 深圳现货
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IXYS
22+
SOT227
8000
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