isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=66A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=850V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：289.38 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Advance Technical Information

文件：202.06 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道 超-超级结MOSFET

• 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

Advance Technical Information

文件：134.16 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

Advance Technical Information

文件：202.06 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯