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IXFK26N60Q中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXFK26N60Q
厂商型号

IXFK26N60Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

文件大小

103.5 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 10:35:00

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IXFK26N60Q规格书详情

特性 Features

● Low gate charge

● International standard packages

● Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Avalanche energy and current rated

● Fast intrinsic Rectifier

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFK26N60Q

  • 功能描述:

    MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
2016+
TO-264
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房间原装进口现货假一赔十
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IXY
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原装
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