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25N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK25N90	文件：328.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK25N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN25N90	文件：141.35 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN25N90	文件：122.25 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN-25N90	文件：144.36 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsSingleDieMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX25N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX25N90	文件：367.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.33Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXFK260N17T	IXYS	23+	TO-264	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	IXFK260N17T	IXYS/艾赛斯	23+	TO-264	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXFK260N17T	IXYS	22+	TO2643 TO264AA	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IXFK260N17T	IXYS	21+	TO2643 TO264AA	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXFK260N17T	IXYS/艾赛斯	23+	TO-264	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	IXFK260N17T	IXYS	2022+	TO-264-3,TO-264AA	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IXFK260N17T	IXYS/艾赛斯	22+	TO-264	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	IXFK260N17T	IXYS/艾赛斯	24+	NA	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价

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