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IXFK21N100F规格书详情
特性 Features
• RF Capable MOSFETs
• Double Metal Process for Low Gate Resistive
• Avalanche Rated
• Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
• High Power Density
• Easy to Mount
• Space Savings
Applications
• DC-DC Converters
• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies, >500kHz Switching
• DC Choppers
• 13.5 MHz Industrial Applications
• Pulse Generation
• Laser Drivers
• RF Amplifiers
产品属性
- 型号:
IXFK21N100F
- 功能描述:
MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
23+ |
TO-3PL |
63848 |
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IXYS |
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IXYS |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
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IXYS/艾赛斯 |
11+ |
TO220 |
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原装现货 |
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IXYS/艾赛斯 |
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NA/ |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-264 |
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IXYS |
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TIO264 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
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IXYS |
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IXYS |
24+ |
TIO264 |
5000 |
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