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IXFK120N65X2	文件：328.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：328.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK120N65X2	文件：202.86 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information 文件：202.86 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK120N65X2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道超-超级结MOSFET • 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFN120N65X2	文件：135.93 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information 文件：135.93 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX120N65X2	文件：202.86 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information 文件：202.86 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTK120N65X2	文件：200.79 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information 文件：200.79 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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