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IXFK120N30T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXFK120N30T

功能描述

GigaMOS Power MOSFET

文件大小

144.79 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 10:09:00

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IXFK120N30T规格书详情

GigaMOS™ Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

特性 Features

• International Standard Packages

• High Current Handling Capability

• Fast Intrinsic Diode

• Avalanche Rated

• Low RDS(on)

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Applications

• DC-DC Converters

• Battery Chargers

• Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

• DC Choppers

• AC Motor Drives

• Uninterruptible Power Supplies

• High Speed Power Switching Applications

产品属性

  • 型号:

    IXFK120N30T

  • 功能描述:

    MOSFET 120A 300V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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18
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