isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 145mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

无锡固电

Power MOSFET

文件：259.64 Kbytes 页数：7 Pages

IXYS

艾赛斯

汽车级超-超级结X-Class MOSFET

• 国际标准封装\n• 高压封装\n• 较低的RDS(ON)和QG\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市誉诚盛世科技有限公司

TO247

TO-247

上传：深圳市拓亿芯电子有限公司