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IXFH26N50P规格书详情
特性 Features
• 国际标准包装
• 动态dv/dt额定值
• 雪崩评级
• 快速本征整流器
• 较低的QG和RDS(on)
• 较低的漏极至弹片电容
• 较低的封装电感
应用 Application
• 开关模式和谐振模式电源
• DC-DC转换器
• 电池充电器
• 不间断电源
• AC电机驱动器
• 高速电源开关应用
技术参数
- 型号:
IXFH26N50P
- 功能描述:
MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8560 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
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原装正品 华强现货 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
1066 |
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IXYS |
24+ |
TO-247 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
7000 |
询价 | |||
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23+ |
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询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
5000 |
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IXYS |
24+ |
TO-247 |
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只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
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