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IXFH15N100Q中文资料PDF规格书
IXFH15N100Q规格书详情
FEATURES
·Drain Current : ID= 15A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 1000V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.7Ω(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号:
IXFH15N100Q
- 功能描述:
MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
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TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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