IXFC80N10中文资料HiPerFET™ MOSFET ISOPLUS220™数据手册Littelfuse规格书
IXFC80N10规格书详情
描述 Description
HiPerFET™ MOSFET ISOPLUS220™
Electrically Isolated Back Surface
特性 Features
● Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
● Low drain to tab capacitance(<35pF)
● Low RDS (on)
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
● Fast intrinsic RectifierApplications
● DC-DC converters
● Battery chargers
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● DC choppers
● AC motor controlAdvantages
● Easy assembly: no screws or isolation foils required
● Space savings
● High power density
● Low collector capacitance to ground (low EMI)
应用 Application
● DC-DC converters
● Battery chargers
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● DC choppers
● AC motor controlAdvantages
● Easy assembly: no screws or isolation foils required
● Space savings
● High power density
● Low collector capacitance to ground (low EMI)
技术参数
- 型号：
IXFC80N10
- 功能描述：
MOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
60603 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
ISOPLUS220? |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
ISOPLUS22 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
MODULE |
120 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 |
