isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 23mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

N通道 超-超级结MOSFET

• 最低的导通电阻RDS(ON) 和栅极电荷Qg\n• 快速软恢复体二极管\n• dv/dt强度\n• 一流的雪崩功能\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

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