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IXDP20N60B分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXDP20N60B
厂商型号

IXDP20N60B

参数属性

IXDP20N60B 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 32A 140W TO220AB

功能描述

High Voltage IGBT with optional Diode
IGBT 600V 32A 140W TO220AB

文件大小

77.18 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 14:36:00

IXDP20N60B规格书详情

VCES = 600 V

IC25 = 32 A

VCE(sat) typ = 2.2 V

Features

● NPT IGBT technology

● low switching losses

● low tail current

● no latch up

● short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard package

Advantages

● Space savings

● High power density

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXDP20N60B属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXDP20N60B晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXDP20N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    900µJ(开),400µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    300V,20A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 32A 140W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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