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IXDH30N120D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXDH30N120D1
厂商型号

IXDH30N120D1

参数属性

IXDH30N120D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

功能描述

High Voltage IGBT with optional Diode
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

文件大小

94.32 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 20:00:00

IXDH30N120D1规格书详情

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

VCES = 1200 V

IC25 = 60 A

VCE(sat) typ = 2.4 V

Features

● NPT IGBT technology

● low saturation voltage

● low switching losses

● square RBSOA, no latch up

● high short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard packages

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXDH30N120D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXDH30N120D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXDH30N120D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    4.6mJ(开),3.4mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,30A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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