选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IXYS/艾赛斯TO220 |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-220-5 |
942 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IXYSTO-220 |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IXYSTO-220 |
16500 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
3650 |
23+ |
全新原装正品现货只做原装假一罚百 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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IXYS Integrated Circuits DivisTO-220-5 |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS Integrated Circuits DivisTO2205 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS Integrated Circuits DivisTO2205 |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-220-5 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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IXYS/艾赛斯TO220 |
6893 |
2023+ |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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IXYSTO-220-5 |
315000 |
2117+ |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYS Integrated Circuits DivisTO-220-5 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSTO2205 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
3700 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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IXYSTO-220-5 |
4258 |
22+ |
原装正品 价格优势 |
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深圳市芯睿晨电子有限公司6年
留言
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IXYS Integrated Circuits DivisTO-220-5 |
5000 |
23+ |
特惠实单价格秒出原装正品假一罚万 |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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IXYSTO-220-5 |
499 |
2021+ |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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IXYS I |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IXYS Integrated Circuits DivisTO-220-5 |
18000 |
21+ |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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深圳市博正芯科技有限公司4年
留言
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IXYS Integrated Circuits DivisNA |
12000 |
21+ |
正品专卖,进口原装深圳现货 |
IXDD630CI采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXDD630CI图片
IXDD630CI中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDD630CI功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXDD630CI
- 制造商:
IXYS Integrated Circuits Division
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
12.5V ~ 35V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,3.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
30A,30A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
11ns,11ns
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-5
- 供应商器件封装:
TO-220-5
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5