选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263(D2PAK) |
32322 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYS原厂原装 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IXYSTO-263 |
63812 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
501573 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
501573 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-263-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-263(D2PAK) |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263(D2PAK) |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-263 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
IXDA20N120AS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXDA20N120AS图片
IXDA20N120AS中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDA20N120AS功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDA20N120AS_11制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXDA20N120AS-TUBE功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXDA20N120AS
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,20A
- 开关能量:
3.1mJ(开),2.4mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 测试条件:
600V,20A,82 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AA
- 描述:
IGBT 1200V 38A 200W TO263AB