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IXBF9N160G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXBF9N160G

参数属性

IXBF9N160G 封装/外壳为i4-Pac™-5(3 引线);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1600V 7A 70W I4PAC

功能描述

BiMOSFET™ 高电压

封装外壳

i4-Pac™-5(3 引线)

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:40:00

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IXBF9N160G规格书详情

特性 Features

• 高阻断电压
• 高功率密度
• 高电流处理能力
• 低传导损耗
• MOS栅极开启简单便捷
• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装

应用 Application

• 雷达传感器电源
• 雷达脉冲调制器
• 电容放电电路
• 高压电源
• AC开关
• HV断路器
• 脉冲电路
• 高压测试设备
• 激光和X射线发生器

技术参数

  • 产品编号:

    IXBF9N160G

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    7V @ 15V,5A

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    960V,5A,27 欧姆,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5(3 引线)

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 1600V 7A 70W I4PAC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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